Mapping of mechanical strain by DOP of oxide-confined GaAs based VCSEL operating at 850 nm - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Mapping of mechanical strain by DOP of oxide-confined GaAs based VCSEL operating at 850 nm

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique Optique [physics.optics]
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Christophe Levallois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02290406

Soumis le : jeudi 19 septembre 2019-15:52:40

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-10:16:17

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Dates et versions

hal-02290406 , version 1 (19-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02290406 , version 1

Citer

Merwan Mokhtari, Philippe Pagnod-Rossiaux, François Laruelle, Jean-Pierre Landesman, Christophe Levallois, et al.. Mapping of mechanical strain by DOP of oxide-confined GaAs based VCSEL operating at 850 nm. 12th European Workshop on VCSELs (VCSEL Day 2019), May 2019, Brussels, Belgium. ⟨hal-02290406⟩

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