Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2016

Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors

Domaines

Energie électrique

Olivier Chadebec  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02277752

Soumis le : mardi 3 septembre 2019-22:04:18

Dernière modification le : mardi 24 septembre 2024-16:46:17

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Dates et versions

hal-02277752 , version 1 (03-09-2019)

Identifiants

Citer

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, Astrid Linge, Malek Zegaoui, Pierre-Olivier Jeannin, et al.. Above 2000 V breakdown voltage at 600 K GaN-on-silicon high electron mobility transistors. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2016, 213 (4), pp.873--877. ⟨10.1002/pssa.201532572⟩. ⟨hal-02277752⟩

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