Integration of resistive switching NiO in small via structures from localized oxidation of nickel metallic layer - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Integration of resistive switching NiO in small via structures from localized oxidation of nickel metallic layer

Domaines

Matériaux Matière Condensée [cond-mat]

Christian Turquat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02271988

Soumis le : mardi 27 août 2019-13:50:30

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02271988 , version 1 (27-08-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02271988 , version 1

Citer

L. Courtade, C. Turquat, J.G. Lisoni, L. Goux, D.J. Wouters, et al.. Integration of resistive switching NiO in small via structures from localized oxidation of nickel metallic layer. ESSDERC 2008 - 38th European Solid-State Device Research Conference, Sep 2008, Edinburgh, United Kingdom. pp.218-221. ⟨hal-02271988⟩

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