Comparative study of radiation defect dynamics in 3C-SiC by X-ray diffraction, Raman scattering, and ion channeling - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied physics. A, Materials science & processing Année : 2019

Comparative study of radiation defect dynamics in 3C-SiC by X-ray diffraction, Raman scattering, and ion channeling

L. Bayu Aji
  • Fonction : Auteur
E. Stavrou
  • Fonction : Auteur
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung
J. Wallace
  • Fonction : Auteur
Speed Laboratory
Alexandre Boulle
IRCER - Axe 3 : organisation structurale multiéchelle des matériaux
CV
A. Debelle
Centre de Sciences Nucléaires et de Sciences de la Matière
S. Kucheyev
  • Fonction : Auteur

Domaines

Matériaux

Alexandre Boulle  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02192790

Soumis le : mercredi 24 juillet 2019-10:36:00

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

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Dates et versions

hal-02192790 , version 1 (24-07-2019)

Identifiants

Citer

L. Bayu Aji, E. Stavrou, J. Wallace, Alexandre Boulle, A. Debelle, et al.. Comparative study of radiation defect dynamics in 3C-SiC by X-ray diffraction, Raman scattering, and ion channeling. Applied physics. A, Materials science & processing, 2019, 125 (1), ⟨10.1007/s00339-018-2325-7⟩. ⟨hal-02192790⟩

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