Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices.

Charles Cornet
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Ida Lucci
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1004808
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Lipin Chen
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Laurent Pedesseau
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Rozenn Bernard
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Tony Rohel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 872790
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Christophe Levallois
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Rozenn Piron
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Antoine Létoublon
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Yoan Léger
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Nicolas Bertru
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matière Condensée [cond-mat]

Charles Cornet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02189095

Soumis le : vendredi 19 juillet 2019-09:08:19

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02189095 , version 1 (19-07-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02189095 , version 1

Citer

Charles Cornet, Ida Lucci, Lipin Chen, Laurent Pedesseau, Rozenn Bernard, et al.. Universal growth mechanism of III-V/Si: using antiphase boundaries for devices.. Réunion plénière du GDR Pulse (PULSE 2019), Jul 2019, Clermont-Ferrand, France. ⟨hal-02189095⟩

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