Article Dans Une Revue
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
Année : 2000
Patrick Laffez : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02179094
Soumis le : mercredi 10 juillet 2019-14:07:29
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02179094 , version 1
- DOI : 10.1016/S0304-8853(99)00740-4
Citer
Mustapha Zaghrioui, Alain Bulou, P. Laffez, P. Lacorre. Raman study of metal–insulator transition in NdNiO3 thin films. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2000, 211 (1-3), pp.238-242. ⟨10.1016/S0304-8853(99)00740-4⟩. ⟨hal-02179094⟩
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