Raman study of metal–insulator transition in NdNiO3 thin films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Magnetism and Magnetic Materials Année : 2000

Raman study of metal–insulator transition in NdNiO3 thin films

Alain Bulou
P. Laffez
P. Lacorre

Dates et versions

hal-02179094 , version 1 (10-07-2019)

Identifiants

Citer

Mustapha Zaghrioui, Alain Bulou, P. Laffez, P. Lacorre. Raman study of metal–insulator transition in NdNiO3 thin films. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2000, 211 (1-3), pp.238-242. ⟨10.1016/S0304-8853(99)00740-4⟩. ⟨hal-02179094⟩
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