Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2016

Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer

L. Monteagudo-Lerma
  • Fonction : Auteur
S. Valdueza-Felip
  • Fonction : Auteur
Nanophysique et Semiconducteurs
A. Núñez-Cascajero
  • Fonction : Auteur
A. Ruiz
  • Fonction : Auteur
M. Gonzalez-Herraez
  • Fonction : Auteur
Department of Electronics, University of Alcala
E. Monroy
Nanophysique et Semiconducteurs
F.B. Naranjo
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-02166018

Soumis le : mercredi 26 juin 2019-13:56:17

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08

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hal-02166018 , version 1 (26-06-2019)

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Citer

L. Monteagudo-Lerma, S. Valdueza-Felip, A. Núñez-Cascajero, A. Ruiz, M. Gonzalez-Herraez, et al.. Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer. Journal of Crystal Growth, 2016, 434, pp.13-18. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2015.10.016⟩. ⟨hal-02166018⟩

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