Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2019
Jean-Michel GERARD : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02164153
Soumis le : lundi 24 juin 2019-20:05:47
Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:14:08
Citer
Nathaniel Feldberg, Oleksii Klymov, Nuria Garro, Ana Cros, Nicolas Mollard, et al.. Spontaneous intercalation of Ga and In bilayers during plasma-assisted molecular beam epitaxy growth of GaN on graphene on SiC. Nanotechnology, 2019, ⟨10.1088/1361-6528/ab261f⟩. ⟨hal-02164153⟩
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