Gallium-containing sulfide binary and ternary materials by atomic layer deposition: precursor reactivities and growth fine chemistries - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Today Chemistry Année : 2018

Gallium-containing sulfide binary and ternary materials by atomic layer deposition: precursor reactivities and growth fine chemistries

Nathanaelle Schneider
Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE)
Mathieu Frégnaux
Institut Lavoisier de Versailles
CV
Muriel Bouttemy
Institut Lavoisier de Versailles
Frédérique Donsanti
  • Fonction : Auteur
EDF
Arnaud Etcheberry
Institut Lavoisier de Versailles
Daniel Lincot
  • Fonction : Auteur
Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France (ITE)

Domaines

Chimie

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https://hal.science/hal-02148685

Soumis le : mercredi 5 juin 2019-16:52:54

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hal-02148685 , version 1 (05-06-2019)

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Citer

Nathanaelle Schneider, Mathieu Frégnaux, Muriel Bouttemy, Frédérique Donsanti, Arnaud Etcheberry, et al.. Gallium-containing sulfide binary and ternary materials by atomic layer deposition: precursor reactivities and growth fine chemistries. Materials Today Chemistry, 2018, 10, pp.142-152. ⟨10.1016/j.mtchem.2018.08.006⟩. ⟨hal-02148685⟩

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