Impact of the sequence of precursor introduction on the growth and properties of atomic layer deposited Al-doped ZnO films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2018

Impact of the sequence of precursor introduction on the growth and properties of atomic layer deposited Al-doped ZnO films

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hal-02148679 , version 1 (04-01-2021)

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Harold Le Tulzo, Nathanaelle Schneider, Daniel Lincot, Gilles Patriarche, Frédérique Donsanti. Impact of the sequence of precursor introduction on the growth and properties of atomic layer deposited Al-doped ZnO films. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2018, 36 (4), pp.041502. ⟨10.1116/1.5030990⟩. ⟨hal-02148679⟩
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