Carrier scattering by workfunction fluctuations and interface dipoles in high-K/metal gate stacks - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Carrier scattering by workfunction fluctuations and interface dipoles in high-K/metal gate stacks

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Thierry Deutsch  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02143475

Soumis le : mercredi 29 mai 2019-14:22:19

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:34:24

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02143475 , version 1 (29-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02143475 , version 1

Citer

Zaiping Zeng, Francois Triozon, Yann-Michel Niquet. Carrier scattering by workfunction fluctuations and interface dipoles in high-K/metal gate stacks. 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2016, Nuremberg, France. pp.369-372. ⟨hal-02143475⟩

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