Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Si MOS technology for spin-based quantum computing

Y.J. Kim
  • Fonction : Auteur
A. Amisse
  • Fonction : Auteur
X. Jeh
  • Fonction : Auteur

Résumé

We present recent advances made towards the realization of hole and electron spin quantum bits (qubits) localized within Si Quantum Dots (QDs). These devices, operated at cryogenic temperatures, can be defined by slightly modifying an SOI NanoWire FET fabrication flow, and are thus particularly relevant in the perspective of large-scale co-integration of qubits and their cryogenic control electronics.

Fichier principal
Vignette du fichier
hut.pdf (2.76 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte
Licence
Loading...

Dates et versions

hal-02142069 , version 1 (24-09-2019)

Licence

Identifiants

Citer

L. Hutin, B. Bertrand, R. Maurand, A. Crippa, Matias Imanol Urdampilleta, et al.. Si MOS technology for spin-based quantum computing. 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.12-17, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486863⟩. ⟨hal-02142069⟩
251 Consultations
1096 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More