The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics Année : 2019

The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph] Sciences de l'ingénieur [physics] Plasmas

Rémi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02139391

Soumis le : vendredi 24 mai 2019-16:25:38

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hal-02139391 , version 1 (24-05-2019)

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Citer

Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, et al.. The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩. ⟨hal-02139391⟩

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