Full-zone k · p parametrization for III-As materials - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02138887 , version 1 (24-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02138887 , version 1

Citer

G. Mugny, D. Rideau, F. Triozon, Y.-M. Niquet, C. Kriso, et al.. Full-zone k · p parametrization for III-As materials. 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2015, Washington DC, United States. pp.28-31. ⟨hal-02138887⟩
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