Study of the piezoresistive properties of NMOS and PMOS Ω-gate SOI nanowire transistors: Scalability effects and high stress level
J. Pelloux-Prayer
(1)
,
M. Cassé
(1)
,
S. Barraud
(1)
,
P. Nguyen
,
M. Koyama
(2)
,
M. Niquet
(3)
,
F. Triozon
(1)
,
I. Duchemin
(3)
,
A. Abisset
,
A. Idrissi-Eloudrhiri
,
S. Martinie
(1)
,
J. Rouvière
(4)
,
H. Iwai
(5)
,
G. Reimbold
(1)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
5 FCRC - Frontier Collaborative Research Center
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
4 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
5 FCRC - Frontier Collaborative Research Center
M. Cassé
- Fonction : Auteur
- PersonId : 755505
- ORCID : 0000-0002-4934-2445
P. Nguyen
- Fonction : Auteur
A. Abisset
- Fonction : Auteur
A. Idrissi-Eloudrhiri
- Fonction : Auteur
J. Rouvière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171210
- IdHAL : jean-luc-rouviere
- ORCID : 0000-0001-8731-3074
- IdRef : 086257374