Monte Carlo study of effective mobility in short channel FDSOI MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02138857 , version 1 (24-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02138857 , version 1

Citer

Sebastien Guarnay, Francois Triozon, Sebastien Martinie, Yann-Michel Niquet, Arnaud Bournel. Monte Carlo study of effective mobility in short channel FDSOI MOSFETs. 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2014, Yokohama, France. pp.105-108. ⟨hal-02138857⟩
18 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More