Perpendicular shape anisotropy spin transfer torque magnetic random-access memory: towards sub-10 nm devices - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2019

Perpendicular shape anisotropy spin transfer torque magnetic random-access memory: towards sub-10 nm devices

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Laurent Vila  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02136390

Soumis le : mercredi 22 mai 2019-09:26:38

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:03:09

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Dates et versions

hal-02136390 , version 1 (22-05-2019)

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Citer

N. Perrissin, G. Grégoire, S. Lequeux, L. Tillie, N. Strelkov, et al.. Perpendicular shape anisotropy spin transfer torque magnetic random-access memory: towards sub-10 nm devices. Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 52 (23), pp.234001. ⟨10.1088/1361-6463/ab0de4⟩. ⟨hal-02136390⟩

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