Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2019

Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening

H. Bohuslavskyi
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
A. G. M. Jansen
Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
S. Barraud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Barral
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
M. Cassé
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
L. Le Guevel
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
X. Jehl
Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
L. Hutin
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
B. Bertrand
  • Fonction : Auteur
Clinique Cardiologie et Hypertension Artérielle
G. Billiot
  • Fonction : Auteur
Gaël Pillonnet
Département d'Architectures, Conception et Logiciels Embarqués-LETI
CV
F. Arnaud
STMicroelectronics [Crolles]
CV
P. Galy
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
S. de Franceschi
Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
M. Vinet
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
M. Sanquer
Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

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https://hal.science/hal-02121161

Soumis le : lundi 6 mai 2019-14:10:34

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:40:57

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Dates et versions

hal-02121161 , version 1 (06-05-2019)

Identifiants

Citer

H. Bohuslavskyi, A. G. M. Jansen, S. Barraud, V. Barral, M. Cassé, et al.. Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (5), pp.784-787. ⟨10.1109/LED.2019.2903111⟩. ⟨hal-02121161⟩

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