Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2019

Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening

G. Billiot
  • Fonction : Auteur
F. Arnaud

Dates et versions

hal-02121161 , version 1 (06-05-2019)

Identifiants

Citer

H. Bohuslavskyi, A. G. M. Jansen, S. Barraud, V. Barral, M. Cassé, et al.. Cryogenic Subthreshold Swing Saturation in FD-SOI MOSFETs Described With Band Broadening. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (5), pp.784-787. ⟨10.1109/LED.2019.2903111⟩. ⟨hal-02121161⟩
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