Utilisation de micro-thermomètres Raman pour la mesure de la température d’échauffement de transistors de la filière GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02117236 , version 1 (02-05-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02117236 , version 1

Citer

Guillaume Brocero, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, Jean Pierre Sipma, Christophe Gaquière, et al.. Utilisation de micro-thermomètres Raman pour la mesure de la température d’échauffement de transistors de la filière GaN. 21e JNM, May 2019, Caen, France. ⟨hal-02117236⟩
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