Impact ionization and band-to-band tunneling in In x Ga 1-x As PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2018

Impact ionization and band-to-band tunneling in In x Ga 1-x As PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis

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hal-02115681 , version 1 (24-05-2022)

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Citer

B. Vasallo, T. Gonzalez, V. Talbo, Y. Lechaux, Nicolas Wichmann, et al.. Impact ionization and band-to-band tunneling in In x Ga 1-x As PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis. Journal of Applied Physics, 2018, 123 (3), pp.034501. ⟨10.1063/1.5007858⟩. ⟨hal-02115681⟩
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