Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using advanced X-ray nano-diffraction - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2015

Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using advanced X-ray nano-diffraction

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Stéphanie Escoubas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02114614

Soumis le : lundi 29 avril 2019-17:44:00

Dernière modification le : lundi 16 décembre 2024-15:40:29

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hal-02114614 , version 1 (29-04-2019)

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Citer

B. Vianne, Stephanie Escoubas, M.-I. Richard, S. Labat, G. Chahine, et al.. Strain and tilt mapping in silicon around copper filled TSVs using advanced X-ray nano-diffraction. Microelectronic Engineering, 2015, 137, pp.117-123. ⟨10.1016/j.mee.2014.12.011⟩. ⟨hal-02114614⟩

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