Temperature dependency of the strain distribution induced by TSVs in silicon: A comparative study between micro-Laue and monochromatic nano-diffraction
B. Vianne
(1, 2)
,
Stephanie Escoubas
(2)
,
C. Krauss
(3)
,
M.-I. Richard
(2)
,
S. Labat
(2)
,
G. Chahine
(4)
,
S. Micha
,
T. Schulli
(5)
,
V. Fiori
(6)
,
A. Farcy
(6)
,
O. Thomas
(2)
1
ST-CROLLES -
STMicroelectronics [Crolles]
2 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
3 PPrime [Poitiers] - Institut Pprime [UPR 3346]
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
5 ESRF - European Synchrotron Radiation Facility
6 STMicroelectronics
2 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
3 PPrime [Poitiers] - Institut Pprime [UPR 3346]
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
5 ESRF - European Synchrotron Radiation Facility
6 STMicroelectronics
Stephanie Escoubas
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19476
- IdHAL : stephanie-escoubas
- ORCID : 0000-0001-9436-0055
- IdRef : 220600821
M.-I. Richard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 736272
- IdHAL : marie-ingrid-richard
- ORCID : 0000-0002-8172-3141
- IdRef : 130070289
S. Labat
- Fonction : Auteur
- PersonId : 19478
- IdHAL : stephane-labat
S. Micha
- Fonction : Auteur