Sublimation growth of a new promising semiconductor Al4SiC4 - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Sublimation growth of a new promising semiconductor Al4SiC4

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https://hal.science/hal-02112233

Soumis le : vendredi 26 avril 2019-15:09:01

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-02112233 , version 1 (26-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02112233 , version 1

Citer

Hoang-Long Le Tran, Eirini Sarigiannidou, Odette Chaix-Pluchery, Isabelle Gélard, Thierry Ouisse, et al.. Sublimation growth of a new promising semiconductor Al4SiC4. E- MRS Spring, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-02112233⟩

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