Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry C
Année : 2018
Sébastien Duguay : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02108143
Soumis le : mercredi 24 avril 2019-09:04:30
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12
Citer
Edy Azrak, Wanghua Chen, Simona Moldovan, Shiwen Gao, Sébastien Duguay, et al.. Growth of In-Plane Ge 1– x Sn x Nanowires with 22 at. % Sn Using a Solid–Liquid–Solid Mechanism. Journal of Physical Chemistry C, 2018, 122 (45), pp.26236-26242. ⟨10.1021/acs.jpcc.8b07142⟩. ⟨hal-02108143⟩
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