Growth of In-Plane Ge 1– x Sn x Nanowires with 22 at. % Sn Using a Solid–Liquid–Solid Mechanism - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physical Chemistry C Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02108143 , version 1 (24-04-2019)

Identifiants

Citer

Edy Azrak, Wanghua Chen, Simona Moldovan, Shiwen Gao, Sébastien Duguay, et al.. Growth of In-Plane Ge 1– x Sn x Nanowires with 22 at. % Sn Using a Solid–Liquid–Solid Mechanism. Journal of Physical Chemistry C, 2018, 122 (45), pp.26236-26242. ⟨10.1021/acs.jpcc.8b07142⟩. ⟨hal-02108143⟩
23 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More