Chemical beam epitaxy grown AlGaNAs for photovoltaic applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02097330 , version 1 (11-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02097330 , version 1

Citer

G. Kolhatkar, A. Boucherif, S. Fafard, V. Aimez, R. Arès, et al.. Chemical beam epitaxy grown AlGaNAs for photovoltaic applications. CMOS ET, May 2016, Montreal, Canada. ⟨hal-02097330⟩
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