Laser power conversion efficiencies exceeding 60%, featuring strong photon recycling, in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Laser power conversion efficiencies exceeding 60%, featuring strong photon recycling, in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02096993

Soumis le : jeudi 11 avril 2019-16:56:11

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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hal-02096993 , version 1 (11-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02096993 , version 1

Citer

Simon Fafard. Laser power conversion efficiencies exceeding 60%, featuring strong photon recycling, in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures. Optics 2017 USA, Las Vegas, United States, Nov 2017, Las Vegas, United States. ⟨hal-02096993⟩

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