III-V Photovoltaic Devices based on the Vertical Epitaxial heteroStructure Architecture (VEHSA Design) for Record Optical to Electrical Conversion Efficiencies - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

III-V Photovoltaic Devices based on the Vertical Epitaxial heteroStructure Architecture (VEHSA Design) for Record Optical to Electrical Conversion Efficiencies

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02096975

Soumis le : jeudi 11 avril 2019-16:49:51

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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Dates et versions

hal-02096975 , version 1 (11-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02096975 , version 1

Citer

Simon Fafard. III-V Photovoltaic Devices based on the Vertical Epitaxial heteroStructure Architecture (VEHSA Design) for Record Optical to Electrical Conversion Efficiencies. CCMR 2017, Jeju, Korea, Democratic People's Republic of China, Jun 2017, Jeju, South Korea. ⟨hal-02096975⟩

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