Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
UMI3463 LN2 : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02096961
Soumis le : jeudi 11 avril 2019-16:45:32
Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02096961 , version 1
Citer
Simon Fafard. Photon recycling in ultra-thin GaAs n/p junctions based on high-photovoltage vertical epitaxial heterostructure architectures with record optical to electrical conversion efficiencies. Canadian Associations of Physicists, May 2017, Kingston, Canada. ⟨hal-02096961⟩
15
Consultations
0
Téléchargements