Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Surface and Coatings Technology Année : 2014

Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

Florent Tetard
Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
G. Sánchez
  • Fonction : Auteur
P. Tristant
  • Fonction : Auteur
Centre national de recherches météorologiques
C. Dublanche-Tixier
Axe 2 : procédés plasmas et lasers
F. Tétard
  • Fonction : Auteur
A. Bologna Alles
  • Fonction : Auteur
Faculté Ingenieria

Domaines

Matériaux

Florent Tétard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02095957

Soumis le : mercredi 10 avril 2019-23:55:37

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Citer

Florent Tetard, G. Sánchez, P. Tristant, C. Dublanche-Tixier, F. Tétard, et al.. Effect of low RF bias potential on AlN films obtained by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. Surface and Coatings Technology, 2014, 256, pp.3-8. ⟨10.1016/j.surfcoat.2013.10.067⟩. ⟨hal-02095957⟩

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