Epitaxial BaTiO3 on Silicon and Silicon Germanium: Nanoscale Characterization, Ferroelectricity and Integration into TiN-Gated Devices - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Epitaxial BaTiO3 on Silicon and Silicon Germanium: Nanoscale Characterization, Ferroelectricity and Integration into TiN-Gated Devices

Lucie Mazet
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
S.M. Yang
  • Fonction : Auteur
Center for Nanophase Materials Sciences [Oak Ridge]
M.M. Frank
  • Fonction : Auteur
IBM T.J. Watson Research Center
E.A. Cartier
  • Fonction : Auteur
IBM T.J. Watson Research Center
H. Miyazoe
  • Fonction : Auteur
IBM T.J. Watson Research Center
J. Bruley
  • Fonction : Auteur
IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York
Thibaud Denneulin
  • Fonction : Auteur
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
Robin Cours
  • Fonction : Auteur
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
Martin J. Hÿtch
Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique
CV
J. Bouaziz
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Claude Botella
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918205
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
Cesar Magén
  • Fonction : Auteur
Universidad de Zaragoza = University of Zaragoza [Saragossa University] = Université de Saragosse
Rodrigo Guzmán
  • Fonction : Auteur
Universidad de Zaragoza = University of Zaragoza [Saragossa University] = Université de Saragosse
S.V. Kalinin
  • Fonction : Auteur
Center for Nanophase Materials Sciences [Oak Ridge]
Vijaykrishnan Narayanan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 866053
IBM T.J. Watson Research Center
Sylvie Schamm-Chardon
Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
CV
Catherine Dubourdieu
  • Fonction : Auteur
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH = Helmholtz Centre Berlin for Materials and Energy = Centre Helmholtz de Berlin pour les matériaux et l'énergie

Domaines

Physique [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sylvie Schamm-Chardon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02083658

Soumis le : vendredi 29 mars 2019-10:43:28

Dernière modification le : jeudi 31 octobre 2024-09:06:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02083658 , version 1 (29-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02083658 , version 1

Citer

Lucie Mazet, S.M. Yang, M.M. Frank, E.A. Cartier, H. Miyazoe, et al.. Epitaxial BaTiO3 on Silicon and Silicon Germanium: Nanoscale Characterization, Ferroelectricity and Integration into TiN-Gated Devices. MRS Spring 2016, Mar 2016, Phœnix, États-Unis. ⟨hal-02083658⟩

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