Diodes with breakdown voltages enhanced by the metal-insulator transition of LaAlO3–SrTiO3 interfaces - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

Diodes with breakdown voltages enhanced by the metal-insulator transition of LaAlO3–SrTiO3 interfaces

R. Jany
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M. Breitschaft
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G. Hammerl
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A. Horsche
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C. Richter
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S. Paetel
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J. Mannhart
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N. Stucki
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N. Reyren
S. Gariglio
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P. Zubko
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A. D Caviglia
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J.-M Triscone
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Résumé

Using the metal-insulator transition that takes place as a function of carrier density at the LaAlO 3-SrTiO 3 interface, oxide diodes have been fabricated with room-temperature breakdown voltages of up to 200 V. With applied voltage, the capacitance of the diodes changes by a factor of 150. The diodes are robust and operate at temperatures up to 270 C.

Dates et versions

hal-02076454 , version 1 (01-04-2019)

Identifiants

Citer

R. Jany, M. Breitschaft, G. Hammerl, A. Horsche, C. Richter, et al.. Diodes with breakdown voltages enhanced by the metal-insulator transition of LaAlO3–SrTiO3 interfaces. Applied Physics Letters, 2010, 96 (18), pp.183504. ⟨10.1063/1.3428433⟩. ⟨hal-02076454⟩
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