The influence of AlN buffer over the polarity and the nucleation of self-organized GaN nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2015

The influence of AlN buffer over the polarity and the nucleation of self-organized GaN nanowires

Catherine Bougerol
Ana Cros
Jaime Colchero
  • Fonction : Auteur
Bruno Daudin
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02071872 , version 1 (18-03-2019)

Identifiants

Citer

Thomas Auzelle, Benedikt Haas, Albert Minj, Catherine Bougerol, Jean-Luc Rouviere, et al.. The influence of AlN buffer over the polarity and the nucleation of self-organized GaN nanowires. Journal of Applied Physics, 2015, 117 (24), pp.245303. ⟨10.1063/1.4923024⟩. ⟨hal-02071872⟩
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