Strain, stress, and mechanical relaxation in fin-patterned Si/SiGe multilayers for sub-7 nm nanosheet gate-all-around device technology
S. Reboh
(1)
,
R. Coquand
,
S. Barraud
(2)
,
N. Loubet
(3)
,
N. Bernier
(4)
,
G. Audoit
(1)
,
J.-L. Rouvière
(5)
,
E. Augendre
(1)
,
J. Li
(6)
,
J. Gaudiello
,
N. Gambacorti
(1)
,
T. Yamashita
,
O. Faynot
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale
3 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
4 UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019]
5 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
6 IBM Corporation, New York
2 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale
3 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
4 UGA [2016-2019] - Université Grenoble Alpes [2016-2019]
5 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
6 IBM Corporation, New York
R. Coquand
- Fonction : Auteur
J.-L. Rouvière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171210
- IdHAL : jean-luc-rouviere
- ORCID : 0000-0001-8731-3074
- IdRef : 086257374
J. Gaudiello
- Fonction : Auteur
T. Yamashita
- Fonction : Auteur
O. Faynot
- Fonction : Auteur