Epitaxial growth of the high temperature ferromagnetic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Epitaxial growth of the high temperature ferromagnetic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Matériaux

Niels Keller  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02070984

Soumis le : lundi 18 mars 2019-12:43:12

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hal-02070984 , version 1 (18-03-2019)

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Citer

Ali Hamie, Elena Popova, Yves Dumont, Ekaterina Chikoidze, Bénédicte Warot-Fonrose, et al.. Epitaxial growth of the high temperature ferromagnetic semiconductor Fe1.5Ti0.5O3 on silicon-compatible substrate. Applied Physics Letters, 2011, 98 (23), pp.232501. ⟨10.1063/1.3595271⟩. ⟨hal-02070984⟩

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