Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2011
Moïra Hocevar : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02070640
Soumis le : lundi 18 mars 2019-10:46:22
Dernière modification le : mercredi 20 septembre 2023-13:10:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02070640 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2011.01.067
Citer
Moïra Hocevar, Gilles Patriarche, Abdelkader Souifi, Michel Gendry. Tuning the structural properties of InAs nanocrystals grown by molecular beam epitaxy on silicon dioxide. Journal of Crystal Growth, 2011, 321 (1), pp.1-7. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2011.01.067⟩. ⟨hal-02070640⟩
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