A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs
F. Lime
(1)
,
R. Ritzenthaler
(1)
,
B. Iñiguez
(1)
,
E. Miranda
,
Frédéric Martinez
(2, 3)
,
F. Pascal
(2, 3)
,
O. Faynot
(4)
1
URV -
University Rovira i virgili = Universidad Rovira y Virgili = Universitat Rovira i Virgili
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 M@CSEE - Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
3 M@CSEE - Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
E. Miranda
- Fonction : Auteur
Frédéric Martinez
- Fonction : Auteur
- PersonId : 15532
- IdHAL : frederic-martinez
- ORCID : 0000-0002-3917-7087
- IdRef : 074261118
F. Pascal
- Fonction : Auteur
- PersonId : 18693
- IdHAL : fabien-pascal