Communication Dans Un Congrès
Année : 2014
Frédérique Ducroquet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02065948
Soumis le : mercredi 13 mars 2019-09:28:38
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:13:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02065948 , version 1
Citer
Marco Pala, David Esseni. (Invited) Modeling the Influence of Interface Traps on the Transfer Characteristics of InAs Tunnel-FETs and MOSFETs. 225th ECS : Dielectrics for Nanosystems 6: Materials Science, Processing, Reliabilty and Manufacturing, D. Misra, Y. Obeng, T. Chikyow, H. Iwai, Z. Chen and D. Bauza, May 2014, Orlando, United States. ⟨hal-02065948⟩
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