Communication Dans Un Congrès
Année : 2006
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https://hal.science/hal-02064884
Soumis le : mardi 12 mars 2019-11:43:40
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:10
Citer
Frédéric Martinez, S. Soliverès, C. Leyris, M. Valenza. 1/f gate tunneling current noise model of ultrathin oxide MOSFETs. 2006 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, Mar 2006, Austin, France. pp.193-198, ⟨10.1109/ICMTS.2006.1614302⟩. ⟨hal-02064884⟩
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