GeSn heterostructure micro-disk laser operating at 230 K - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics Express Année : 2018

GeSn heterostructure micro-disk laser operating at 230 K

Résumé

We demonstrate lasing up to 230 K in a GeSn heterostructure micro-disk cavity. The GeSn 16.0% optically active layer was grown on a step-graded GeSn buffer, limiting the density of misfit dislocations. The lasing wavelengths shifted from 2720 to 2890 nm at 15 K up to 3200 nm at 230 K. Compared to results reported elsewhere, we attribute the increase in maximal lasing temperature to two factors: a stronger optical confinement by a thicker active layer and a better carrier confinement provided by a GeSn 13.8% / GeSn 16.0% / GeSn 13.8% double heterostructure.
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Dates et versions

hal-02060078 , version 1 (07-03-2019)

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Citer

Quang Minh Thai, Nicolas Pauc, Joris Aubin, Mathieu Bertrand, Jérémie Chrétien, et al.. GeSn heterostructure micro-disk laser operating at 230 K. Optics Express, 2018, 26 (25), pp.32500. ⟨10.1364/OE.26.032500⟩. ⟨hal-02060078⟩
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