Growth and structural properties of step-graded, high Sn content GeSn layers on Ge
J Aubin
,
J. Hartmann
(1)
,
A. Gassenq
,
J. Rouvière
(2)
,
Eric Robin
(2)
,
V. Delaye
(3)
,
D. Cooper
(3)
,
N Mollard
,
V. Reboud
(3)
,
V. Calvo
(4)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
2 LEMMA - Laboratoire d'Etude des Matériaux par Microscopie Avancée
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
J Aubin
- Fonction : Auteur
A. Gassenq
- Fonction : Auteur
J. Rouvière
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171210
- IdHAL : jean-luc-rouviere
- ORCID : 0000-0001-8731-3074
- IdRef : 086257374
Eric Robin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172851
- IdHAL : robin-eric
- ORCID : 0000-0002-5596-2640
N Mollard
- Fonction : Auteur