Optimizing the shape of InAs/InP quantum dot-nanowires grown by MBE on silicon for efficient light sources emitting in the telecom band - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Optimizing the shape of InAs/InP quantum dot-nanowires grown by MBE on silicon for efficient light sources emitting in the telecom band

Walid Redjem
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1027361
Hai Son Nguyen
Sébastien Cueff
Xavier Letartre
Emmanuel Rousseau
Guillaume Cassabois
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1002524
Michel Gendry
Nicolas Chauvin
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02034960 , version 1 (20-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02034960 , version 1

Citer

Ali Jaffal, Philippe Regreny, Walid Redjem, Hai Son Nguyen, Sébastien Cueff, et al.. Optimizing the shape of InAs/InP quantum dot-nanowires grown by MBE on silicon for efficient light sources emitting in the telecom band. 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Feb 2019, Lenggries, Germany. ⟨hal-02034960⟩
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