Collected charge analysis for a new advanced transient model by TCAD simulation in 90nm technology - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Collected charge analysis for a new advanced transient model by TCAD simulation in 90nm technology

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Karine Coulié  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02025640

Soumis le : mardi 19 février 2019-17:23:11

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02025640 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025640 , version 1

Citer

L. Artola, G. Hubert, F. Bezerra, S. Duzellier, K. Castellani-Coulié. Collected charge analysis for a new advanced transient model by TCAD simulation in 90nm technology. 2009 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), Sep 2009, Brugge, France. pp.187-193. ⟨hal-02025640⟩

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