Investigation of 30nm Gate-All-Around MOSFET Sensitivity to Heavy Ions: a 3-D Simulation Study - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Investigation of 30nm Gate-All-Around MOSFET Sensitivity to Heavy Ions: a 3-D Simulation Study

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Karine Coulié  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02025580

Soumis le : mardi 19 février 2019-17:19:23

Dernière modification le : mardi 19 novembre 2024-09:28:02

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Dates et versions

hal-02025580 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025580 , version 1

Citer

K. Castellani-Coulié, Daniela Munteanu, Jean-Luc Autran, V. Ferlet-Cavrois, P. Paillet, et al.. Investigation of 30nm Gate-All-Around MOSFET Sensitivity to Heavy Ions: a 3-D Simulation Study. 2005 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, Sep 2005, Cap d'Agde, France. pp.G1-1-G1-8. ⟨hal-02025580⟩

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