Circuit Effect on Collection Mechanisms Involved in Single Event Phenomena: Application to the Response of a NMOS Transistor in a 90 nm SRAM Cell - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2011

Circuit Effect on Collection Mechanisms Involved in Single Event Phenomena: Application to the Response of a NMOS Transistor in a 90 nm SRAM Cell

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Citer

Karine Castellani-Coulie, Gnima Toure, Jean-Michel Portal, Olivier Ginez, Hassen Aziza, et al.. Circuit Effect on Collection Mechanisms Involved in Single Event Phenomena: Application to the Response of a NMOS Transistor in a 90 nm SRAM Cell. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2011, 58 (3), pp.870-876. ⟨10.1109/tns.2011.2129575⟩. ⟨hal-02025249⟩

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