Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Modelling of 4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02025247 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025247 , version 1

Citer

Konstantinos Zekentes, Konstantin Vassilevski, Antonis Stavrinidis, Konstantin Konstantinidis, Maria Kayambaki, et al.. Modelling of 4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts. 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015, Oct 2015, Catane, Italy. pp.913-916. ⟨hal-02025247⟩
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