Device simulation study of the SEU sensitivity of SRAMs to internal ion tracks generated by nuclear reactions - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2001

Device simulation study of the SEU sensitivity of SRAMs to internal ion tracks generated by nuclear reactions

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Karine Coulié  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02024841

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hal-02024841 , version 1 (19-02-2019)

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Citer

J.-M. Palau, G. Hubert, K. Coulié, B. Sagnes, M.-C. Calvet, et al.. Device simulation study of the SEU sensitivity of SRAMs to internal ion tracks generated by nuclear reactions. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (2), pp.225-231. ⟨10.1109/23.915368⟩. ⟨hal-02024841⟩

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