In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs

Domaines

Matériaux

Labo Lmgp  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02016916

Soumis le : mercredi 13 février 2019-00:32:53

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:03:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016916 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016916 , version 1

Citer

E Skopin, L. Rapenne, H. Roussel, J.-L. Deschanvres, A. Crisci, et al.. In situ X-ray studies during the early stage of ZnO Atomic Layer Deposition on InGaAs. Rayons X & Matière, Nov 2017, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-02016916⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA UNIV-TLN CNRS UNIV-AMU SIMAP LMGP IM2NP INC-CNRS SYNCHROTRON-SOLEIL GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE
73 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More