Non-linear model of electronic band structure to highly tensile-strained Germanium - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Non-linear model of electronic band structure to highly tensile-strained Germanium

Jose Escalante
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
A. Gassenq
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
S. Tardif
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
K. Guiloy
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
N. Pauc
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
F. Rieutord
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
V. Calvo
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
G. Osvaldo Dias
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Rouchon
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Hartmann
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Fowler
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
A. Chelnokov
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
V. Reboud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
I. Duchemin
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
Y-M. Niquet
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation

Résumé

We propose a non-linear model based on tight-binding method to obtain, as a function of deformation, the evolution of conduction and valence band around Γ-bandgap of germanium.

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique / photonique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Samuel Tardif  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02016620

Soumis le : mardi 12 février 2019-17:50:35

Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2024-03:42:57

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016620 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

Citer

Jose Escalante, A. Gassenq, S. Tardif, K. Guiloy, N. Pauc, et al.. Non-linear model of electronic band structure to highly tensile-strained Germanium. 2015 IEEE 12th International Conference on Group IV Photonics (GFP), Aug 2015, Vancouver, Canada. pp.77-78, ⟨10.1109/Group4.2015.7305955⟩. ⟨hal-02016620⟩

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