Highly strained direct bandgap Germanium cavities for a monolithic laser on Si
T. Zabel
(1)
,
E. Marin
(1)
,
R. Geiger
(1)
,
C. Bozon
(2)
,
S. Tardif
(3)
,
K. Guilloy
(4)
,
A. Gassenq
(4)
,
J. Escalante
(5)
,
Y. M. Niquet
(5)
,
I. Duchemin
(5)
,
J. Rothman
(6)
,
N. Pauc
(4)
,
F. Rieutord
(3)
,
V. Reboud
(6)
,
V. Calvo
(4)
,
J. Hartmann
(7)
,
J. Widiez
(6)
,
A. Tchelnokov
(8)
,
J. Faist
(9)
,
H. Sigg
(1)
1
PSI -
Paul Scherrer Institute
2 Institute for Quantum Electronics
3 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
4 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
5 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
7 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
8 DOPT - Département d'Optronique
9 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
2 Institute for Quantum Electronics
3 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
4 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
5 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
7 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
8 DOPT - Département d'Optronique
9 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
E. Marin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 756653
- ORCID : 0000-0001-5383-9553
- IdRef : 060251077
S. Tardif
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171321
- IdHAL : samuel-tardif
- ORCID : 0000-0002-1786-8581
- IdRef : 151370494
F. Rieutord
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170248
- IdHAL : francois-rieutord
- ORCID : 0000-0003-4697-3652
- IdRef : 033177848
V. Calvo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1475861
- IdHAL : vincent-calvo
Résumé
Cavity enhanced photoluminescence at a wavelength as long as 5 μm is obtained in uniaxial tensile strained GeOI micro-bridges. We show, using temperature dependent photoluminescence spectroscopy, a crossover to fundamental direct bandgap and reveal from a mode analysis the free carrier induced loss increase.